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簡介：KJ-T1200CVD是一種管式爐，配備60mm直徑氧化鋁管、真空泵和四通道質(zhì)量流量計+一個浮子流量計氣體流動系統(tǒng)

產(chǎn)品介紹：PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜

產(chǎn)品介紹：卷對卷式PECVD是等離子增強型化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），并加裝了收放卷裝置

產(chǎn)品介紹：KJ-CVD是一種分體式管式爐，配備60mm直徑的石英管、真空泵和四通道質(zhì)量流量計氣體流動系統(tǒng)

產(chǎn)品介紹：該產(chǎn)品是由射頻電源、氣體質(zhì)子流量控制系統(tǒng)、襯底控溫系統(tǒng)、真空系統(tǒng)組成，適用于室溫至1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積，同時可實現(xiàn)TEOS...

產(chǎn)品介紹：KJ-T1200CVD是一種管式爐，配備100mm直徑石英管、真空泵和五通道質(zhì)量流量計氣體流動系統(tǒng)

產(chǎn)品描述：KJ-T1200PECVD是一種PECVD（等離子體增強化學(xué)氣相沉積）的管式爐系統(tǒng)，它由500W射頻電源、帶有200毫米直徑石英管的可拆分管式爐、真空...

產(chǎn)品介紹：等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電（等離子體）使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜技術(shù)生長的一種系的制備技術(shù)

產(chǎn)品介紹：該雙爐體CVD系統(tǒng)為定制款，適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實驗

產(chǎn)品特點：1、控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，該技術(shù)控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單

簡單介紹：KJ-T1600CVD是一種管式爐，具有80mm直徑的氧化鋁管和三通道質(zhì)量流量計氣體流動系統(tǒng)

產(chǎn)品介紹：KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯制備機是由KJ-T1200開啟式滑軌管式爐、真空系統(tǒng)、質(zhì)量流量計氣路系統(tǒng)、等離子電源系統(tǒng)組成

產(chǎn)品介紹：KJ-1200T-S60LK3-3FZ型CVD管式爐由KJ-T1200管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)組成，溫度可以達到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三...

產(chǎn)品介紹：KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S型高溫真空CVD設(shè)備由KJ-T1200滑動式快速退火管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)組成

KJ-T1200-S6015LK1-4Z5S多路混氣管式PECVD系統(tǒng)，由KJ-T1200單溫區(qū)管式爐、真空系統(tǒng)、質(zhì)子流量計、射頻電源系統(tǒng)系統(tǒng)組成

產(chǎn)品介紹：KJ-T1200-S6012LK1-4Z5S型石墨烯生長爐由KJ-1200T管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)+水冷系統(tǒng)組成，溫度可以達到1200度,可以是單...

產(chǎn)品介紹：KJ-T1200-S60K-4C型四路高溫真空CVD設(shè)備由KJ-T1200滑動式快速退火管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)組成，溫度可以達到1200度，極限真...

產(chǎn)品介紹：液壓鐘罩氣氛爐采用爐體和智能控制一體化設(shè)計，整個爐體美觀、大方

產(chǎn)品用途：PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜

產(chǎn)品介紹：KJ-T1200大口徑CVD管式爐是一種具有60mm直徑石英管，真空泵和三通道質(zhì)量流量計氣體流動系統(tǒng)的可拆分管式爐