青島泰斯邁儀器設(shè)備有限公司
詳細(xì)摘要： 配備高溫ESC的SiC量產(chǎn)用高能離子注入裝置。配備高溫ESC的SiC量產(chǎn)用高能離子注入裝置。配備高溫ESC的SiC量產(chǎn)用高能離子注入裝置。
產(chǎn)品型號：IH-860DSIC所在地：青島市更新時間：2021-08-31 在線留言
詳細(xì)摘要： Load-lock式Plasma CVD設(shè)備CC-200/400是小型的使用便利的可對應(yīng)從研究開發(fā)到量產(chǎn)的設(shè)備。
產(chǎn)品型號：CC-200所在地：青島市更新時間：2021-08-31 在線留言
詳細(xì)摘要： 負(fù)荷鎖定型濺射裝置CS-200是支持從研究開發(fā)到小規(guī)模生產(chǎn)的負(fù)荷鎖定型濺射裝置
產(chǎn)品型號：所在地：青島市更新時間：2021-08-31 在線留言
詳細(xì)摘要： 1.Batch式高真空蒸發(fā)設(shè)備ei系列是可對應(yīng)在基板上成金屬膜或氧化物膜的設(shè)備?？赏ㄟ^操作面板進(jìn)行集中控制，實現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內(nèi)容的集中自動化操作，適用于研...
產(chǎn)品型號：所在地：青島市更新時間：2021-08-31 在線留言
詳細(xì)摘要： 用于研究開發(fā)的高密度等離子蝕刻裝置NE-550 EX，以有磁場ICP（ISM＝Inductivery Super Magnetron）方式的高密度等離子蝕刻裝置...
產(chǎn)品型號：NE-550EX所在地：青島市更新時間：2021-08-31 在線留言
詳細(xì)摘要： 離子注入裝置SOPHI-400可以支持Max2400KeV的高能量離子注入裝置。
產(chǎn)品型號：SOPHI-400所在地：青島市更新時間：2021-08-31 在線留言
詳細(xì)摘要： 它是一種多室型濺射裝置，可以配備多個處理室（*多3個腔室200E，*多5個腔室200J和*多7個腔室200）
產(chǎn)品型號：所在地：青島市更新時間：2021-08-31 在線留言
詳細(xì)摘要： 它是一種多室型濺射裝置，可以配備多個處理室（*多3個腔室200E，*多5個腔室200J和*多7個腔室200）
產(chǎn)品型號：SME-200所在地：青島市更新時間：2021-08-31 在線留言
詳細(xì)摘要： 1.Batch式高真空蒸發(fā)設(shè)備ei系列是可對應(yīng)在基板上成金屬膜或氧化物膜的設(shè)備?？赏ㄟ^操作面板進(jìn)行集中控制，實現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內(nèi)容的集中自動化操作，適用于研...
產(chǎn)品型號：所在地：青島市更新時間：2021-08-31 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品簡介：研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設(shè)備NLD-570，是搭載了愛發(fā)科開創(chuàng)的磁性中性線（NLD- neutral loop discharge）等離子源的裝置，此...
產(chǎn)品型號：所在地：青島市更新時間：2021-08-31 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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