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單晶硅烘干設(shè)備在使用前一定要先來了解下這些
超過98%的電子元件是使用單品硅作用基礎(chǔ)材料制備，在迅速發(fā)展的太陽(yáng)能發(fā)電工程中，由于單晶硅材料有較高的光電轉(zhuǎn)換率，因此也占據(jù)了重要的地位。單晶硅制備主要有兩種方法：CZ，F(xiàn)Z。CZ-直拉法，主要用于低功率集成電路、晶體管、太陽(yáng)能電池等。其特點(diǎn)是容易實(shí)現(xiàn)單晶大直徑化，設(shè)備和工藝已比較成熟，該方法生產(chǎn)的單晶占硅單晶總量的85%以上。
FZ-區(qū)熔，用高頻加熱懸浮生長(zhǎng)，能生產(chǎn)高阻、高純、高壽命的高質(zhì)量單晶，主要用于探測(cè)器，大功率可控整流元件，包括能使轉(zhuǎn)換率超過20%以上的太陽(yáng)能單晶。晶體生長(zhǎng)技術(shù)，它涉及到熱力學(xué)、物理化學(xué)、流體動(dòng)力學(xué)、結(jié)晶學(xué)和晶體缺陷理論，由于微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，作為基礎(chǔ)材料的硅單晶制備技術(shù)也在迅速發(fā)展。
單晶硅烘干設(shè)備操作程序?yàn)椋簩⒋娓傻募嗗V置于傳送帶的一側(cè)，傳送帶緩慢移動(dòng)，帶動(dòng)紗錠徐徐通過輻射艙，在輻射艙內(nèi)紗錠被烘干。在傳送帶的另一側(cè)取走已烘干的紗錠。傳送帶連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)了烘干設(shè)備的不間斷持續(xù)工作。電子管為貴重器件，應(yīng)重點(diǎn)加以保護(hù)，除加裝與管子配套的過溫熔斷器外，尚需加裝風(fēng)量連鎖開關(guān)。以確保電子管不因溫度過高而損壞。烘干設(shè)備中選用的電子管為進(jìn)口風(fēng)冷管。按要求，電子管必須豎直安裝，但可取兩種朝向，即如下所述的方案一和方案二。
方案一為電子管陽(yáng)極朝下，陰極朝上擺放，冷卻空氣從下方由電子管陽(yáng)極吹入，出風(fēng)再冷卻電子管柵極和陰極(進(jìn)風(fēng)溫度50℃，出風(fēng)溫度100℃)。特點(diǎn)是電子管維護(hù)、接線方便，但陰極和燈絲的冷卻風(fēng)溫度偏高。
方案二為電子管陽(yáng)極朝上，陰極朝下擺放。冷卻空氣從下方由電子管陰極一端吹入，冷卻風(fēng)順次冷卻電子管燈絲、陰極、柵極和陽(yáng)極。陰極和燈絲等接線通過轉(zhuǎn)接板進(jìn)行。