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BiasHAST半導體芯片BiasHAST測試

B-HAST高加速壽命偏壓老化測試系統(tǒng)適用于IC封裝，半導體，微電子芯片，磁性材料及其它電子零件進行高壓、高溫、不飽和/飽和濕熱、等加速壽命信賴性試驗，使用于在產(chǎn)品的設計階段，用于快速暴露產(chǎn)品的缺陷和薄弱環(huán)節(jié)。測試其制品的密封性和老化性能。

B-HAST高加速壽命偏壓老化測試系統(tǒng)是將被測元件放置于一定的環(huán)境溫度中,（環(huán)境溫度依據(jù)被測元件規(guī)格設定）給被測元件施加一定的偏置電壓。同時控制系統(tǒng)實時檢測每個材料的漏電流，電壓，并根據(jù)預先設定，當被測材料實時漏電流超出設定時，自動切斷被測材料的電壓，可以保護被測元件不被進一步燒毀。

BiasHAST半導體芯片BiasHAST測試

IGBT-HAST測試的主要目的是：評估IGBT模塊在高溫高濕環(huán)境下的性能和可靠性。預測IGBT模塊在實際使用中的長期可靠性。識別IGBT模塊設計或制造過程中可能存在的潛在問題。

IGBT-HAST測試的原理：HAST測試通過模擬高溫高濕環(huán)境，對IGBT模塊施加加速的溫度和濕度應力，以加速其內部可能發(fā)生的物理和化學變化。這種測試方法能夠在短時間內模擬長時間使用過程中的老化過程，從而評估IGBT模塊的可靠性。

BiasHAST半導體芯片BiasHAST測試 測試的步驟

1. 確定測試條件：根據(jù)IGBT模塊的特性和應用環(huán)境，確定相應的溫度、濕度等測試條件。例如，可能在121℃的高溫環(huán)境中，將相對濕度控制在85%以上。

2. 樣品準備：選取具有代表性的IGBT模塊樣品，確保樣品的質量和可靠性。

3. 安裝與布置：將IGBT模塊樣品安裝在HAST測試設備中，確保設備的穩(wěn)定性和安全性。

4. 施加應力：按照確定的測試條件，對IGBT模塊施加相應的溫度、濕度等應力。

5. 監(jiān)控與記錄：對IGBT模塊在測試過程中的性能表現(xiàn)進行實時監(jiān)控和記錄，包括電氣性能、機械性能等指標。

6. 結果評估：根據(jù)測試數(shù)據(jù)，評估IGBT模塊的可靠性和穩(wěn)定性，確定是否存在潛在問題。

7. 優(yōu)化與改進：根據(jù)測試結果，對IGBT模塊的設計和生產(chǎn)進行優(yōu)化和改進，提高產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

BiasHAST半導體芯片BiasHAST測試產(chǎn)品特點

1.HAST高壓加速老化試驗機采用較新優(yōu)化設計,美觀大方，做工精細

2.具備特制的試樣架免去繁雜的接線作業(yè)

3.大容量水箱,試驗時間長,全自動補水，試驗不中斷

4.與試樣數(shù)量相吻合的試樣信號施加端了

5.采用觸摸屏，具有USB曲線數(shù)據(jù)下載功能

6.采用高效真空泵，使箱內達到較佳純凈飽和蒸汽狀態(tài)

7.一體成型硅膠門墊圈，氣密度良好，且使用壽命長

8.多項安全保護措施,故障報警顯示及故障原因和排除方法功能顯示。

9.可根據(jù)客戶不同需求定制專用HAST試驗設備（如: HAST內箱尺寸及偏壓可滿足客戶不同的測試需要）

BiasHAST半導體芯片BiasHAST測試

滿足 IEC60068-2-66、JESD22-A110、JESD22-A118 規(guī)范要求

3種控制模式包含：不飽和控制(干濕球溫度控制)、不飽和控制(升溫溫度控制)、濕潤飽和控制。

高壓加速老化試驗箱采用優(yōu)化設計，美觀大方、做工精細，對應 IEC60068-2-66 條件

具有直接測量箱內溫濕度的干、濕球溫度傳感器；具有緩降壓、排氣、排水功能，控制避免試驗結束后壓力溫度的急變，保證試驗結果的正確。