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了解冷卻系統(tǒng)控制范圍和關(guān)鍵參數(shù)

時間:2021-9-19閱讀:37
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  冷卻塔是許多水系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,可在廣泛的技術(shù)和應(yīng)用中提供舒適性或過程冷卻。冷卻塔的設(shè)計和占地面積差異很大,但都有一個主要目標(biāo):從工藝或建筑系統(tǒng)中去除廢熱??刂茀?shù)對于維護(hù)任何冷卻系統(tǒng)以提高水和能源大限度地延長設(shè)備預(yù)期壽命、減少危險和限度地減少停機時間至關(guān)重要。

  在冷卻處理程序的控制范圍時,會考慮許多因素,例如系統(tǒng)設(shè)計、操作條件、補給水質(zhì)量、化學(xué)品進(jìn)料和控制設(shè)備、現(xiàn)場監(jiān)測程序和處理化學(xué)品。在這些設(shè)計控制參數(shù)之外運行可能會導(dǎo)致以下問題:

  增加運營、能源、水和維護(hù)成本

  損壞冷卻和/或冷卻系統(tǒng)

  導(dǎo)致系統(tǒng)故障

  下表總結(jié)了常見的冷卻處理控制范圍及其對水處理程序的重要性。

樣本測試目的/糾正措施*結(jié)果
補充水硬度和堿度水源和水質(zhì)可能會發(fā)生變化。變化會影響控制冷卻系統(tǒng)結(jié)垢和腐蝕的控制限值。意外的組成變化會導(dǎo)致冷卻/冷凝器系統(tǒng)中的水垢沉積或腐蝕
電導(dǎo)率用于建立控制范圍以維持所需的濃度循環(huán)。補充水的定期檢查確認(rèn)了建立排放控制限值的基礎(chǔ)。
氯化物
二氧化硅如果補充氯化物太低而無法進(jìn)行準(zhǔn)確的現(xiàn)場測量或根據(jù)電導(dǎo)率重復(fù)檢查循環(huán),則使用硅膠。
冷卻
塔水
電導(dǎo)率這些參數(shù)用于監(jiān)控排放要求。如果低,應(yīng)減少出血。如果高,應(yīng)增加出血。請注意,增加流失會降低化學(xué)水平,而減少流失會增加化學(xué)水平。低水平(過度流失)會浪費水和處理化學(xué)品,并可能導(dǎo)致腐蝕。高水平(不充分滲出)會導(dǎo)致水垢沉積和過度結(jié)垢。水垢沉積會導(dǎo)致冷卻系統(tǒng)故障。
氯化物
二氧化硅
抑制劑測試:鉬、磷酸鹽、膦酸鹽如果低,則增加抑制劑產(chǎn)品的進(jìn)料速度。如果高,降低進(jìn)給速度。如果磷酸鹽需求顯著增加,檢查硬水。低抑制劑含量會導(dǎo)致水垢沉積和腐蝕發(fā)生。高抑制劑水平會浪費化學(xué)品并可能導(dǎo)致膦酸鹽沉積。沉積物和腐蝕會導(dǎo)致冷卻系統(tǒng)故障。
微生物檢測定期測試以監(jiān)測殺菌劑計劃的有效性。高細(xì)菌計數(shù):調(diào)整殺菌劑劑量和/或殺菌劑添加頻率。高細(xì)菌數(shù)量和/或藻類積累會導(dǎo)致結(jié)垢、增加能源成本和過度腐蝕。
鹵素(游離鹵素殘留)高鹵素殘留:降低鹵素供體產(chǎn)品的進(jìn)料速度。低鹵素殘留:提高鹵素供體產(chǎn)品的進(jìn)料速度。低鹵素含量會導(dǎo)致微生物過度生長。高鹵素含量會導(dǎo)致抑制劑降解和過度腐蝕。
酸堿度通過適當(dāng)?shù)呐欧牛ㄈ绻皇褂盟幔┗?pH 控制(如果使用酸)保持在推薦的范圍內(nèi)。低 pH 值會導(dǎo)致腐蝕和鐵沉積,并導(dǎo)致設(shè)備故障。高 pH 值會導(dǎo)致傳熱區(qū)域結(jié)垢。

  * 注意:列出的控制措施是通用的,可能是也可能不是滿足您*系統(tǒng)要求的建議。始終咨詢您的水處理專家,以確定適當(dāng)?shù)募m正措施。

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  為了保護(hù)冷卻系統(tǒng)并保持熱交換表面清潔和無沉積物必須定期監(jiān)測和檢查工藝參數(shù)。

  結(jié)論

  有效的水處理是任何冷卻水系統(tǒng)和項目投資回報率的預(yù)防性維護(hù)計劃的關(guān)鍵部分。在確定新的水處理程序和關(guān)鍵工藝參數(shù)時,與經(jīng)驗豐富的解決方案提供商合作至關(guān)重要。

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