了解冷卻系統(tǒng)控制范圍和關(guān)鍵參數(shù)

時間：2021-9-19閱讀：37

　　冷卻塔是許多水系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，可在廣泛的技術(shù)和應(yīng)用中提供舒適性或過程冷卻。冷卻塔的設(shè)計和占地面積差異很大，但都有一個主要目標(biāo)：從工藝或建筑系統(tǒng)中去除廢熱?？刂茀?shù)對于維護(hù)任何冷卻系統(tǒng)以提高水和能源大限度地延長設(shè)備預(yù)期壽命、減少危險和限度地減少停機時間至關(guān)重要。

　　在冷卻處理程序的控制范圍時，會考慮許多因素，例如系統(tǒng)設(shè)計、操作條件、補給水質(zhì)量、化學(xué)品進(jìn)料和控制設(shè)備、現(xiàn)場監(jiān)測程序和處理化學(xué)品。在這些設(shè)計控制參數(shù)之外運行可能會導(dǎo)致以下問題：

　　增加運營、能源、水和維護(hù)成本

　　損壞冷卻和/或冷卻系統(tǒng)

　　導(dǎo)致系統(tǒng)故障

　　下表總結(jié)了常見的冷卻處理控制范圍及其對水處理程序的重要性。

樣本	測試	目的/糾正措施*	結(jié)果
補充水	硬度和堿度	水源和水質(zhì)可能會發(fā)生變化。變化會影響控制冷卻系統(tǒng)結(jié)垢和腐蝕的控制限值。	意外的組成變化會導(dǎo)致冷卻/冷凝器系統(tǒng)中的水垢沉積或腐蝕
	電導(dǎo)率	用于建立控制范圍以維持所需的濃度循環(huán)。	補充水的定期檢查確認(rèn)了建立排放控制限值的基礎(chǔ)。
	氯化物	用于建立控制范圍以維持所需的濃度循環(huán)。
	二氧化硅	如果補充氯化物太低而無法進(jìn)行準(zhǔn)確的現(xiàn)場測量或根據(jù)電導(dǎo)率重復(fù)檢查循環(huán)，則使用硅膠。
冷卻塔水	電導(dǎo)率	這些參數(shù)用于監(jiān)控排放要求。如果低，應(yīng)減少出血。如果高，應(yīng)增加出血。請注意，增加流失會降低化學(xué)水平，而減少流失會增加化學(xué)水平。	低水平（過度流失）會浪費水和處理化學(xué)品，并可能導(dǎo)致腐蝕。高水平（不充分滲出）會導(dǎo)致水垢沉積和過度結(jié)垢。水垢沉積會導(dǎo)致冷卻系統(tǒng)故障。
	氯化物
	二氧化硅
	抑制劑測試：鉬、磷酸鹽、膦酸鹽	如果低，則增加抑制劑產(chǎn)品的進(jìn)料速度。如果高，降低進(jìn)給速度。如果磷酸鹽需求顯著增加，檢查硬水。	低抑制劑含量會導(dǎo)致水垢沉積和腐蝕發(fā)生。高抑制劑水平會浪費化學(xué)品并可能導(dǎo)致膦酸鹽沉積。沉積物和腐蝕會導(dǎo)致冷卻系統(tǒng)故障。
	微生物檢測	定期測試以監(jiān)測殺菌劑計劃的有效性。高細(xì)菌計數(shù)：調(diào)整殺菌劑劑量和/或殺菌劑添加頻率。	高細(xì)菌數(shù)量和/或藻類積累會導(dǎo)致結(jié)垢、增加能源成本和過度腐蝕。
	鹵素（游離鹵素殘留）	高鹵素殘留：降低鹵素供體產(chǎn)品的進(jìn)料速度。低鹵素殘留：提高鹵素供體產(chǎn)品的進(jìn)料速度。	低鹵素含量會導(dǎo)致微生物過度生長。高鹵素含量會導(dǎo)致抑制劑降解和過度腐蝕。
	酸堿度	通過適當(dāng)?shù)呐欧牛ㄈ绻皇褂盟幔┗?pH 控制（如果使用酸）保持在推薦的范圍內(nèi)。	低 pH 值會導(dǎo)致腐蝕和鐵沉積，并導(dǎo)致設(shè)備故障。高 pH 值會導(dǎo)致傳熱區(qū)域結(jié)垢。

　　* 注意：列出的控制措施是通用的，可能是也可能不是滿足您*系統(tǒng)要求的建議。始終咨詢您的水處理專家，以確定適當(dāng)?shù)募m正措施。

，

　　為了保護(hù)冷卻系統(tǒng)并保持熱交換表面清潔和無沉積物必須定期監(jiān)測和檢查工藝參數(shù)。

　　結(jié)論

　　有效的水處理是任何冷卻水系統(tǒng)和項目投資回報率的預(yù)防性維護(hù)計劃的關(guān)鍵部分。在確定新的水處理程序和關(guān)鍵工藝參數(shù)時，與經(jīng)驗豐富的解決方案提供商合作至關(guān)重要。

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