IC芯片型號大全 常用IC存儲芯片型號大全
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ic芯片型號 電子芯片型號大全 產(chǎn)品的牌號與型號有什么不同
磁變存儲器Z有潛力的代表是自旋轉(zhuǎn)移力矩磁變存儲器(STT MRAM)。既有動態(tài)隨機存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高性能，又能兼顧閃存的低功耗優(yōu)勢。存儲單元主體為磁性隧道結(jié)(MTJ)，有上下兩層磁性材料(如：鈷鐵合金)和中間的絕緣夾層(如：氧化鎂)所組成。其中一層為固定磁性層，另一層為自由磁性層。工作原理是由磁場調(diào)制上下兩層磁性層的磁化方向成為平行或反平行，從而建立兩個阻值各異的穩(wěn)定狀態(tài)。早期的磁性層磁矩平行于硅襯底表面，在尺寸縮小和成本方面缺乏競爭力。近年來結(jié)構(gòu)上更優(yōu)化的垂直磁矩型隧道結(jié)使得大規(guī)模制造成為可能，從而可望克服成本問題。但是此技術(shù)面臨的Z挑戰(zhàn)仍然是磁變電阻兩個狀態(tài)之間的電阻差異比較微弱，無法應(yīng)用到大容量的多位存儲技術(shù)，大規(guī)模量產(chǎn)尚不明朗。TDK(日本)于2014年*展出了自旋轉(zhuǎn)移力矩磁變存儲器的原型，容量為8Mb，讀寫速度是當時NOR的7倍多(342MB/s VS 48MB/s)。那么IC產(chǎn)品型號有哪些呢 常用IC型號大全：
MLX90614ESF-BAA-000-TU、MLX90614ESF-DCI-000-TU、MRF151G、MLX90614ESF、MAX809SN490T1G、DSPIC30F6014A-30I/PF、K9LBG08U0M-PCBO、BGT24MTR11E6327XUMA1、
EN80C196KB16、LMG7420PLFC-X、MAX3841ETG、FW82801EB-SL73Z、TMP92CF26AXBG、218S7EBLA12FG、LE82GM965-SLA5T、SIS963LUA、M-L-DEFIANTQCB2-DB、MML09212HT1、T6UJ9XBG-0002-L、STM32F407IGT6、SE742、PCI9054-AB50PI、PA136PGD、OPA656U、OPA627AU、NDV8501B2、MT5301BANU-BMSL、MSD7819-S02-L1、MN2WS0177、MC68302FC20C、LMZ31710RVQT、LM12CLK、LM3S6965-IQC50-A2、LGE3549P、INA111BU、HI3-7159A-5、EP20K60EQC208-2XN、EP2C8QC8N、EP1S20F780I6、EM8622L-LF、EM8470、DS1609、DS34RT5110SQE、DAC9881SRGET、DAC8803IDBT、DAC3482IRKDT、CLRC632、CDCLVP2108RGZT、BQ76PL536ATPAPTQ1、AT84AD001BITD、AM82801IUX、AFE4490RHAT、ADS8365IOAGR、ATMEGA256016AU、AT89C51SND1C-IL、AML7215、AFE4490RHAT
相變存儲器是基于材料相變引起電阻變化的存儲器。結(jié)構(gòu)上有電阻加熱器和相變層所組成。通入重置(RESET)寫電流后，電阻加熱器使得相變層溫度迅速升高，在達到相變層熔點后較短時間內(nèi)，關(guān)閉寫電流，使得材料快速冷卻，此時固定在非晶態(tài)，為高阻態(tài)。為了使相變層材料重新回到晶態(tài)，需要通入設(shè)置(SET)電流，相變層需要被加熱到結(jié)晶溫度和熔化溫度之間，使得晶核和微晶快速生長。目前相變層材料的研究集中在GST系合金。由于重置寫電流較大，相變存儲器的功耗較高，另外寫電流時間較長，寫速度較慢。尋找新型相變材料來降低寫電流，同時加快寫速度和減少熱擾動成為急需解決的難題。美光(美國)曾于2012年宣布1Gb和512Mb的相變內(nèi)存的*量產(chǎn)，但是可能替代閃存的大容量相變存儲器由于各種技術(shù)原因，目前尚未問世。
阻變存儲器作為Z重要的下一代新型存儲器，近十年來受到高度關(guān)注。阻變存儲器具有結(jié)構(gòu)簡單、高速、低功耗和易于三維集成等優(yōu)點。存儲單元結(jié)構(gòu)為上電極和下電極之間的電阻變化層。根據(jù)電阻變化層的材料，阻變存儲器可分為氧化物阻變存儲器和導(dǎo)電橋接存儲器。前者研究較為廣泛，*上已有數(shù)家公司展示了原型產(chǎn)品。2015年初 Crossbar(美國)宣布其阻變存儲器開始進入商業(yè)化階段，初期準備面向嵌入式市場，同時正加速進行容量更大的下一代阻變存儲器研發(fā)，預(yù)計于2017年面世。美光(美國)和索尼(日本)也在開展阻變存儲器的聯(lián)合研發(fā)。從2007年起，每年半導(dǎo)體鄰域的幾個重要*會議(如IEDM和VLSI)均會報道 的研發(fā)進展。 2014年美光公布了27nm基于CMOS工藝制造的單顆容量16Gb阻變存儲器原型，但目前距離量產(chǎn)仍有較大距離。大規(guī)模量產(chǎn)的Z挑戰(zhàn)是實現(xiàn)較好的均勻性，提高產(chǎn)品良率和可靠性。另外，多位存儲的要求對電阻變化層的材料也提出了嚴峻的考驗。大規(guī)模提高阻變存儲器容量，需要材料和結(jié)構(gòu)的進一步優(yōu)化和創(chuàng)新。
