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北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司

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編:
10010
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http://www.hg0881.cn/st150937/
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模擬靜電場描繪儀技術(shù)參數(shù)

2021-4-26  閱讀(418)

提 供 商 北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司 資料大小 41.6KB
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【詳細說明】

模擬靜電場描繪儀 型號:GVZ-4

技術(shù)參數(shù):
1. GVZ-4型為箱體和電源分離式,單筆測試,內(nèi)置四種電極
(同心圓、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形)。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導(dǎo)線。
3.同心圓和其他電極印有坐標格規(guī)格為1mm. 
4.微晶導(dǎo)電層的均勻性,實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍(直流)為7.00v—13.00V,分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓,調(diào)節(jié)細度可達0.01V。
應(yīng)承受250g正負50g的力摩擦2萬次,膜層電阻阻值變化0.3%,對導(dǎo)電微晶無磨損。 

 

技術(shù)參數(shù):
1. GVZ-4型為箱體和電源分離式,單筆測試,內(nèi)置四種電極
(同心圓、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形)。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導(dǎo)線。
3.同心圓和其他電極印有坐標格規(guī)格為1mm. 
4.微晶導(dǎo)電層的均勻性,實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍(直流)為7.00v—13.00V,分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓,調(diào)節(jié)細度可達0.01V。
應(yīng)承受250g正負50g的力摩擦2萬次,膜層電阻阻值變化0.3%,對導(dǎo)電微晶無磨損。  



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