詳細(xì)介紹
蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM結(jié)合了場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)出色的成像和分析性能,和新一代聚焦離子束(FIB)優(yōu)異的加工性能。無論是在科研或是工業(yè)實驗室,您都可以在一臺設(shè)備上實現(xiàn)多用戶同時操作。得益于蔡司Crossbeam系列模塊化的平臺設(shè)計理念,您可以根據(jù)自己需求的變化隨時升級儀器系統(tǒng)。在加工、成像或是實現(xiàn)三維重構(gòu)分析時,Crosssbeam系列都將大大提升您的應(yīng)用體驗。
使用Gemini電子光學(xué)系統(tǒng),您可以從高分辨率SEM圖像中提取真實樣本信息
使用新的Ion-sculptor FIB鏡筒以及全新的樣品處理方式,您可以大限度地提高樣品質(zhì)量、降低樣品損傷,同時大大加快實驗操作過程
使用Ion-sculptor FIB的低電壓功能,您可以制備超薄的TEM樣品,同時將非晶化損傷降到非常低
使用Crossbeam 340的可變氣壓功能
或使用Crossbeam 550實現(xiàn)更苛刻的表征,大倉室甚至為您提供更多選擇
EM樣品制備流程
按照以下步驟,高效率、高質(zhì)量地完成制樣
Crossbeam 為制備超薄、高質(zhì)量的TEM樣品提供了一整套解決方案,您可以高效地準(zhǔn)備樣品,并在TEM或STEM上實現(xiàn)透射成像模式的分析。
蔡司 Crossbeam 340 | 蔡司 Crossbeam 550 | |
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掃描電子束系統(tǒng) | Gemini I VP 鏡筒 - | Gemini II鏡筒 可選Tandem decel |
樣品倉尺寸和接口 | 標(biāo)準(zhǔn)樣品倉有18個擴展接口 | 標(biāo)準(zhǔn)樣品倉有18個擴展接口或者加大樣品倉有22個擴展接口 |
樣品臺 | X/Y方向行程均為100mm | X/Y方向行程:標(biāo)準(zhǔn)樣品倉100mm加大樣品倉153 mm |
荷電控制 | 荷電中和電子槍 局域電荷中和器 可變氣壓 | 荷電中和電子槍 局域電荷中和器
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可選選項 | Inlens Duo探測器可依次獲取SE/EsB圖像 VPSE探測器 | Inlens SE 和 Inlens EsB可同時獲取SE和ESB成像 大尺寸預(yù)真空室可傳輸8英寸晶元 注意加大樣品倉可同時安裝3支壓縮空氣驅(qū)動的附件。例如 STEM, 4分割背散射 探測器和局域電荷中和器 |
特點 | 由于采用了可變氣壓模式,從而具有更大范圍的樣品兼容性,適用于各類原位實驗,可依次獲取SE/EsB圖像 | 高效的分析和成像,在各種條件下保持高分辨特性,同時獲取Inlens SE和Inlens ESB圖像 |
*SE 二次電子,EsB 能量選擇背散射電子 |