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半導(dǎo)體芯片 BiasHAST測(cè)試偏壓老化測(cè)試

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公司名稱成都中冷低溫科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)
所在地成都市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2025/3/10 15:35:44
訪問(wèn)次數(shù)49

產(chǎn)品標(biāo)簽:

高加速老化 BiasHAST測(cè)試半導(dǎo)體芯片偏壓老化測(cè)試

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

成都中冷低溫科技有限公司簡(jiǎn)稱中冷公司(CHINACRYO)是一家專注于超低溫解決方案的創(chuàng)新型高科技公司，企業(yè)通過(guò)*、歐盟CE認(rèn)證。公司主要生產(chǎn)高低溫沖擊氣流儀（熱流儀）、超低溫制冷機(jī)、高低溫循環(huán)箱、高低溫沖擊箱、環(huán)境模擬倉(cāng)、老化測(cè)試設(shè)備等，各種為5G通訊、光模塊、集成電路、芯片、航空航天、天文探測(cè)、電池包、氫能源等領(lǐng)域的可靠性測(cè)試提供整套溫度環(huán)境解決方案，位于成都總部的技術(shù)中心超過(guò)3000平方米，在天津、上海、蘇州、深圳、武漢、珠海、重慶設(shè)有辦事機(jī)構(gòu)。公司核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)成員平均行業(yè)經(jīng)驗(yàn)超過(guò)12年，超過(guò)40%的工程師擁有高級(jí)職稱,擁有外國(guó)企業(yè)工作經(jīng)驗(yàn)工程師超過(guò)30%。公司自主研發(fā)的高低溫沖擊氣流儀（熱流儀）和超低溫制冷機(jī)處于靠前地位，出口歐美及東南亞，在業(yè)內(nèi)有較高的認(rèn)可度。

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高低溫沖擊設(shè)備，氣流儀，熱流罩

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半導(dǎo)體芯片 BiasHAST測(cè)試偏壓老化測(cè)試，HAST高壓加速老化試驗(yàn)箱主要用于評(píng)估在濕度環(huán)境下產(chǎn)品或材料的可靠性，這是通過(guò)在高度受控的壓力容器內(nèi)設(shè)定和創(chuàng)建溫度、濕度、壓力的各種條件來(lái)完成的。

半導(dǎo)體芯片 BiasHAST測(cè)試偏壓老化測(cè)試產(chǎn)品信息

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半導(dǎo)體芯片 BiasHAST測(cè)試偏壓老化測(cè)試

PCB老化試驗(yàn)箱半導(dǎo)體芯片BiasHAST測(cè)試又稱為超加速壽命試驗(yàn)機(jī),是用于調(diào)查分析何時(shí)出現(xiàn)電子元器件和機(jī)械零件的摩耗和使用壽命的問(wèn)題的試驗(yàn)設(shè)備

其目的是提高環(huán)境應(yīng)力與工作應(yīng)力、加快試驗(yàn)過(guò)程縮短產(chǎn)品或系統(tǒng)的壽命試驗(yàn)時(shí)間。

半導(dǎo)體芯片 BiasHAST測(cè)試偏壓老化測(cè)試

用于 PCB、LCD Board、電池、電容、電阻、IC 半導(dǎo)體、連接器、線路板、磁性材料、高分子材料、EVA、光伏組件及其它電子零件之高溫、高濕、高壓等信賴性試驗(yàn)等行業(yè)。

PCB老化試驗(yàn)箱半導(dǎo)體芯片BiasHAST測(cè)試的主要目的是：評(píng)估IGBT模塊在高溫高濕環(huán)境下的性能和可靠性。預(yù)測(cè)IGBT模塊在實(shí)際使用中的長(zhǎng)期可靠性。識(shí)別IGBT模塊設(shè)計(jì)或制造過(guò)程中可能存在的潛在問(wèn)題。

半導(dǎo)體芯片BiasHAST測(cè)試的原理：HAST測(cè)試通過(guò)模擬高溫高濕環(huán)境，對(duì)IGBT模塊施加加速的溫度和濕度應(yīng)力，以加速其內(nèi)部可能發(fā)生的物理和化學(xué)變化。這種測(cè)試方法能夠在短時(shí)間內(nèi)模擬長(zhǎng)時(shí)間使用過(guò)程中的老化過(guò)程，從而評(píng)估IGBT模塊的可靠性。

測(cè)試的步驟

1. 確定測(cè)試條件：根據(jù)IGBT模塊的特性和應(yīng)用環(huán)境，確定相應(yīng)的溫度、濕度等測(cè)試條件。例如，可能在121℃的高溫環(huán)境中，將相對(duì)濕度控制在85%以上。

2. 樣品準(zhǔn)備：選取具有代表性的IGBT模塊樣品，確保樣品的質(zhì)量和可靠性。

3. 安裝與布置：將IGBT模塊樣品安裝在HAST測(cè)試設(shè)備中，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和安全性。

4. 施加應(yīng)力：按照確定的測(cè)試條件，對(duì)IGBT模塊施加相應(yīng)的溫度、濕度等應(yīng)力。

5. 監(jiān)控與記錄：對(duì)IGBT模塊在測(cè)試過(guò)程中的性能表現(xiàn)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄，包括電氣性能、機(jī)械性能等指標(biāo)。

6. 結(jié)果評(píng)估：根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)，評(píng)估IGBT模塊的可靠性和穩(wěn)定性，確定是否存在潛在問(wèn)題。

7. 優(yōu)化與改進(jìn)：根據(jù)測(cè)試結(jié)果，對(duì)IGBT模塊的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)進(jìn)行優(yōu)化和改進(jìn)，提高產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

半導(dǎo)體芯片BiasHAST測(cè)試產(chǎn)品特點(diǎn)

1.HAST高壓加速老化試驗(yàn)機(jī)采用較新優(yōu)化設(shè)計(jì),美觀大方，做工精細(xì)

2.具備特制的試樣架免去繁雜的接線作業(yè)

3.大容量水箱,試驗(yàn)時(shí)間長(zhǎng),全自動(dòng)補(bǔ)水，試驗(yàn)不中斷