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光耦測(cè)試儀

參考價(jià) 1
訂貨量 ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)HUSTEC-160
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2024/10/30 10:16:15
  • 訪問次數(shù)58
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食品機(jī)械設(shè)備網(wǎng)采購部電話:13777369734

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深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù),坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,功率循環(huán),雪崩及浪涌測(cè)試設(shè)備,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速、超寬測(cè)試范圍等競爭優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等,客戶行業(yè)涉及軌道交通,地鐵,電驅(qū)動(dòng),新能源汽車,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,家電等領(lǐng)域;華夏神州,科技興國,智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長;華科智源公司核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué),復(fù)旦大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建,致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備國產(chǎn)化。

igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,10us浪涌電流測(cè)試儀,分立器件測(cè)試儀,柵極電阻/電容測(cè)試儀
設(shè)備尺寸 500(寬)x?450(深)x?250(高)mm 質(zhì)量 30kg
海拔高度 海拔不超過?1000m 儲(chǔ)存環(huán)境 -20℃~50℃
工作環(huán)境 15℃~40℃ 相對(duì)濕度 20%RH?~?85%RH
大氣壓力 86Kpa~?106Kpa 防護(hù) 無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害
用電要求 AC220V,±10% 電網(wǎng)頻率 50Hz±1Hz
光耦測(cè)試儀,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線,測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì),封裝測(cè)試,軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。
光耦測(cè)試儀 產(chǎn)品信息

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

光耦測(cè)試儀



一:光耦測(cè)試儀主要特點(diǎn)

華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試,測(cè)試600A(可擴(kuò)展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè),測(cè)試方便,測(cè)試過程簡單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;


測(cè)試參數(shù):

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用。


二:應(yīng)用范圍

A:IGBT單管及模塊,

B:大功率場效應(yīng)管(Mosfet)

C:大功率二極管

D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

E:軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè)


三、測(cè)試特征:

A:測(cè)量多種IGBT、MOS管

B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測(cè)試范圍廣;

C:脈沖寬度 50uS~300uS

D:Vce測(cè)量精度2mV

E:Vce測(cè)量范圍>10V

F:電腦圖形顯示界面

G:智能保護(hù)被測(cè)量器件

H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能

I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測(cè)試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)

L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比,觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比;



序號(hào)

測(cè)試項(xiàng)目

描述

測(cè)量范圍

分辨率

精度

1

VF

二極管正向?qū)▔航?/p>

0~20V

1mV

±1%,±1mV

2

IF

二極管正向?qū)娏?/p>

0~1200A

≤200A時(shí),0.1A

≤200A時(shí),±1%±0.1A

3

>200A時(shí),1A

>200A時(shí),±1%

4

Vces

集電極-發(fā)射極電壓

0~5000V

1V

±1%,±1V

5

Ic

通態(tài)集電極電流

0~1200A

≤200A時(shí),0.1A

≤200A時(shí),±1%±0.1A

6

>200A時(shí),1A

>200A時(shí),±1%

7

Ices

集電極-發(fā)射極漏電流

0~50mA

1nA

±1%,±10μA

8

Vgeth

柵極-發(fā)射極閾值電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

9

Vcesat

集電極-發(fā)射極飽和電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

10

Igesf

正向柵極漏電流

0~10uA

1nA

±2%,±1nA

11

Igesr

反向柵極漏電流

12

Vges

柵極發(fā)射極電壓

0~40V

1mV

±1%,±1mV



































測(cè)試參數(shù):

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用


1) 物理規(guī)格

設(shè)備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm;

質(zhì)量:30kg

2) 環(huán)境要求

海拔高度:海拔不超過 1000m;

儲(chǔ)存環(huán)境:-20℃~50℃;

工作環(huán)境:15℃~40℃。

相對(duì)濕度:20%RH ~ 85%RH ;

大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。

防護(hù):無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害;

3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%;

電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz

關(guān)鍵詞:變頻器
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