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BiasHAST半導(dǎo)體芯片BiasHAST測試
B-HAST高加速壽命偏壓老化測試系統(tǒng)適用于IC封裝，半導(dǎo)體，微電子芯片，磁性材料及其它電子零件進(jìn)行高壓、高溫、不飽和/飽和濕熱、等加速壽命信賴性試驗，使用于在產(chǎn)品的設(shè)計階段，用于快速暴露產(chǎn)品的缺陷和薄弱環(huán)節(jié)。測試其制品的密封性和老化性能。
B-HAST高加速壽命偏壓老化測試系統(tǒng)是將被測元件放置于一定的環(huán)境溫度中,（環(huán)境溫度依據(jù)被測元件規(guī)格設(shè)定）給被測元件施加一定的偏置電壓。同時控制系統(tǒng)實時檢測每個材料的漏電流，電壓，并根據(jù)預(yù)先設(shè)定，當(dāng)被測材料實時漏電流超出設(shè)定時，自動切斷被測材料的電壓，可以保護(hù)被測元件不被進(jìn)一步燒毀。
BiasHAST半導(dǎo)體芯片BiasHAST測試
IGBT-HAST測試的主要目的是：評估IGBT模塊在高溫高濕環(huán)境下的性能和可靠性。預(yù)測IGBT模塊在實際使用中的長期可靠性。識別IGBT模塊設(shè)計或制造過程中可能存在的潛在問題。
IGBT-HAST測試的原理：HAST測試通過模擬高溫高濕環(huán)境，對IGBT模塊施加加速的溫度和濕度應(yīng)力，以加速其內(nèi)部可能發(fā)生的物理和化學(xué)變化。這種測試方法能夠在短時間內(nèi)模擬長時間使用過程中的老化過程，從而評估IGBT模塊的可靠性。
BiasHAST半導(dǎo)體芯片BiasHAST測試 測試的步驟
1. 確定測試條件：根據(jù)IGBT模塊的特性和應(yīng)用環(huán)境，確定相應(yīng)的溫度、濕度等測試條件。例如，可能在121℃的高溫環(huán)境中，將相對濕度控制在85%以上。
2. 樣品準(zhǔn)備：選取具有代表性的IGBT模塊樣品，確保樣品的質(zhì)量和可靠性。
3. 安裝與布置：將IGBT模塊樣品安裝在HAST測試設(shè)備中，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和安全性。
4. 施加應(yīng)力：按照確定的測試條件，對IGBT模塊施加相應(yīng)的溫度、濕度等應(yīng)力。
5. 監(jiān)控與記錄：對IGBT模塊在測試過程中的性能表現(xiàn)進(jìn)行實時監(jiān)控和記錄，包括電氣性能、機(jī)械性能等指標(biāo)。
6. 結(jié)果評估：根據(jù)測試數(shù)據(jù)，評估IGBT模塊的可靠性和穩(wěn)定性，確定是否存在潛在問題。
7. 優(yōu)化與改進(jìn)：根據(jù)測試結(jié)果，對IGBT模塊的設(shè)計和生產(chǎn)進(jìn)行優(yōu)化和改進(jìn)，提高產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。
BiasHAST半導(dǎo)體芯片BiasHAST測試產(chǎn)品特點
1.HAST高壓加速老化試驗機(jī)采用較新優(yōu)化設(shè)計,美觀大方，做工精細(xì)
2.具備特制的試樣架免去繁雜的接線作業(yè)
3.大容量水箱,試驗時間長,全自動補(bǔ)水，試驗不中斷
4.與試樣數(shù)量相吻合的試樣信號施加端了
5.采用觸摸屏，具有USB曲線數(shù)據(jù)下載功能
6.采用高效真空泵，使箱內(nèi)達(dá)到較佳純凈飽和蒸汽狀態(tài)
7.一體成型硅膠門墊圈，氣密度良好，且使用壽命長
8.多項安全保護(hù)措施,故障報警顯示及故障原因和排除方法功能顯示。
9.可根據(jù)客戶不同需求定制專用HAST試驗設(shè)備（如: HAST內(nèi)箱尺寸及偏壓可滿足客戶不同的測試需要）
BiasHAST半導(dǎo)體芯片BiasHAST測試
滿足 IEC60068-2-66、JESD22-A110、JESD22-A118 規(guī)范要求
3種控制模式包含：不飽和控制(干濕球溫度控制)、不飽和控制(升溫溫度控制)、濕潤飽和控制。
高壓加速老化試驗箱采用優(yōu)化設(shè)計，美觀大方、做工精細(xì)，對應(yīng) IEC60068-2-66 條件
具有直接測量箱內(nèi)溫濕度的干、濕球溫度傳感器；具有緩降壓、排氣、排水功能，控制避免試驗結(jié)束后壓力溫度的急變，保證試驗結(jié)果的正確。
