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IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

參考價	￥ 508000
訂貨量	≥1 件

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
品牌其他品牌
型號E系列
所在地武漢市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2022/2/15 14:32:43
訪問次數(shù)739

產(chǎn)品標(biāo)簽:

功率器件靜態(tài)參數(shù)功率器件靜態(tài)測試 IGBT靜態(tài)測試國產(chǎn)數(shù)字源表源測單元

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公司介紹主營產(chǎn)品

武漢普賽斯儀表公司成立于2019年，是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司。坐落于國家*產(chǎn)業(yè)基地“武漢·中國光谷”，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體的技術(shù)型企業(yè)，擁有以碩士、博士為主的研發(fā)團(tuán)隊和經(jīng)驗豐富的管理服務(wù)團(tuán)隊。

普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺式數(shù)字源表、插卡式源表、窄脈沖電流源、VCSEL測試系統(tǒng)等，*國產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測試工藝，為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合，幫助用戶構(gòu)建自定yi解決方案。為半導(dǎo)體封測廠家提供相關(guān)測試儀表、測試平臺，以及相關(guān)技術(shù)服務(wù)，滿足行業(yè)對測試效率、測試精度，以及低成本的挑戰(zhàn)。

普賽斯儀表：www.whpssins.com

武漢普賽斯將以服務(wù)客戶為中心，追求可持續(xù)發(fā)展，精益求精，堅持不懈，努力將自身打造成。

展開顯示更多內(nèi)容

源表,數(shù)字源表,源測單元,SMU,脈沖電流源,VCSEL測試儀器,脈沖LIV,脈沖恒流源,脈沖光功率測量,激光脈沖電流源

產(chǎn)品簡介在線詢價

CW	高達(dá)3000V/100mA	最小分辨率	30uV/10pA
測量精度	0.1%

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，p*電流精準(zhǔn)測量等特點

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

IGBT簡介：

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件，期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場景中，如電動汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”，被國家列為重點研究對象。

IGBT測試難點：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測試。

3、IGBT動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進(jìn)行測試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設(shè)備，廣泛應(yīng)用于高校研究所、實驗室，新能源，光伏，風(fēng)電，軌交，變頻器等場景。

那么IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試需要哪些儀器呢？

E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設(shè)備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

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E300高電壓源測單元

HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。

設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓”掃描測試。

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HCPL100型高電流脈沖電源

P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

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P系列脈沖源表

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)簡介

功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，p*電流精準(zhǔn)測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。