蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM結(jié)合了場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)出色的成像和分析性能,和新一代聚焦離子束(FIB)優(yōu)異的加工性能。無(wú)論是在科研或是工業(yè)實(shí)驗(yàn)室,您都可以在一臺(tái)設(shè)備上實(shí)現(xiàn)多用戶同時(shí)操作。得益于蔡司Crossbeam系列模塊化的平臺(tái)設(shè)計(jì)理念,您可以根據(jù)自己需求的變化隨時(shí)升級(jí)儀器系統(tǒng)。在加工、成像或是實(shí)現(xiàn)三維重構(gòu)分析時(shí),Crosssbeam系列都將大大提升您的應(yīng)用體驗(yàn)。
使用Gemini電子光學(xué)系統(tǒng),您可以從高分辨率SEM圖像中提取真實(shí)樣本信息
使用新的Ion-sculptor FIB鏡筒以及全新的樣品處理方式,您可以大限度地提高樣品質(zhì)量、降低樣品損傷,同時(shí)大大加快實(shí)驗(yàn)操作過(guò)程
使用Ion-sculptor FIB的低電壓功能,您可以制備超薄的TEM樣品,同時(shí)將非晶化損傷降到非常低
使用Crossbeam 340的可變氣壓功能
或使用Crossbeam 550實(shí)現(xiàn)更苛刻的表征,大倉(cāng)室甚至為您提供更多選擇
EM樣品制備流程
按照以下步驟,高效率、高質(zhì)量地完成制樣
Crossbeam 為制備超薄、高質(zhì)量的TEM樣品提供了一整套解決方案,您可以高效地準(zhǔn)備樣品,并在TEM或STEM上實(shí)現(xiàn)透射成像模式的分析。
蔡司 Crossbeam 340 | 蔡司 Crossbeam 550 | |
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掃描電子束系統(tǒng) | Gemini I VP 鏡筒 - | Gemini II鏡筒 可選Tandem decel |
樣品倉(cāng)尺寸和接口 | 標(biāo)準(zhǔn)樣品倉(cāng)有18個(gè)擴(kuò)展接口 | 標(biāo)準(zhǔn)樣品倉(cāng)有18個(gè)擴(kuò)展接口或者加大樣品倉(cāng)有22個(gè)擴(kuò)展接口 |
樣品臺(tái) | X/Y方向行程均為100mm | X/Y方向行程:標(biāo)準(zhǔn)樣品倉(cāng)100mm加大樣品倉(cāng)153 mm |
荷電控制 | 荷電中和電子槍 局域電荷中和器 可變氣壓 | 荷電中和電子槍 局域電荷中和器
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可選選項(xiàng) | Inlens Duo探測(cè)器可依次獲取SE/EsB圖像 VPSE探測(cè)器 | Inlens SE 和 Inlens EsB可同時(shí)獲取SE和ESB成像 大尺寸預(yù)真空室可傳輸8英寸晶元 注意加大樣品倉(cāng)可同時(shí)安裝3支壓縮空氣驅(qū)動(dòng)的附件。例如 STEM, 4分割背散射 探測(cè)器和局域電荷中和器 |
特點(diǎn) | 由于采用了可變氣壓模式,從而具有更大范圍的樣品兼容性,適用于各類原位實(shí)驗(yàn),可依次獲取SE/EsB圖像 | 高效的分析和成像,在各種條件下保持高分辨特性,同時(shí)獲取Inlens SE和Inlens ESB圖像 |
*SE 二次電子,EsB 能量選擇背散射電子 |