晶圓級芯片尺寸封裝 (WLCSP) 因其成本性能比和無襯底封裝而具吸引力，但卻受到芯片尺寸的限制。另一種替代方案，扇出型晶圓級封裝 (FOWLP) 技術(shù)正在研發(fā)和應(yīng)用，因為它允許通過“扇出”與外部襯墊互連來增加 I/O 密度。終使其具有更小的外形尺寸和更低的功耗。異構(gòu)集成的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，如系統(tǒng)級封裝 (SIP) 和堆疊封裝 (PoP) 基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，由于日益復(fù)雜的集成而面臨著重大挑戰(zhàn)。
晶圓級封裝挑戰(zhàn)
對于許多此類技術(shù)來說，薄化器件的襯底處理是制造流程中的一個主要挑戰(zhàn)。硅晶片薄化至 <50 微米 (µm)，或使用一個 RDL-first流程創(chuàng)建的重分布層 (RDL) 需非常小心且制造成本很昂貴。處理過程要求使用通過臨時鍵合和解鍵合 (TBDB) 技術(shù)處理支撐襯底，以方便構(gòu)建復(fù)雜的封裝基礎(chǔ)機構(gòu)。
使用熱塑性聚合物制造的臨時鍵合材料通常用于 TB/DB 工藝。當(dāng)與載體襯底一起使用時，它們能夠提供熱機械穩(wěn)定性，并使薄型器件襯底更易于處理。然而，在更高的溫度下，這些材料表現(xiàn)得更像液體，隨著熔體粘度的降低，機械穩(wěn)定性也逐漸消失，材料軟化，從而降低了鍵合層的穩(wěn)定性。器件晶圓可能發(fā)生變形和分層，導(dǎo)致下游工藝出現(xiàn)問題。
芯片封裝氣泡問題
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封裝除泡設(shè)備*
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