1769-OW16,1769-OW16
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從70年代起,主儲(chǔ)器已逐步采用大規(guī)模集成電構(gòu)成。
用得zui普遍的也是的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(DRAM)。1995年集成度為64Mb(可存儲(chǔ)400萬個(gè)漢字)的DRAM芯片已經(jīng)開始商業(yè)性生產(chǎn),16MbDRAM芯片已成為市場主流產(chǎn)品。DRAM芯片的存取速度適中,一般為50~70ns。有一些改進(jìn)型的DRAM,如EDO DRAM(即擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出的DRAM),其性能可較普通DRAM提高10%以上,又如SDRAM(即同步DRAM),其性能又可較EDO DRAM提高10%左右。1998年SDRAM的后繼產(chǎn)品為SDRAMⅡ(或稱DDR,即雙倍數(shù)據(jù)速率)的品種已上市。在追求速度和可靠性的場合,通常采用價(jià)格較貴的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(SRAM),其存取速度可以達(dá)到了1~15ns。無論主存采用DRAM還是SRAM芯片構(gòu)成,在斷電時(shí)存儲(chǔ)的信息都會(huì)“丟失”,因此計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)者應(yīng)考慮發(fā)生這種情況時(shí),設(shè)法維持若干毫秒的供電以保存主存中的重要信息,以便供電恢復(fù)時(shí)計(jì)算機(jī)能恢復(fù)正常運(yùn)行。鑒于上述情況,在某些應(yīng)用中主存中存儲(chǔ)重要而相對(duì)固定的程序和數(shù)據(jù)的部分采用“非易失性”存儲(chǔ)器芯片(如EPROM,快閃存儲(chǔ)芯片等)構(gòu)成;對(duì)于*固定的程序,數(shù)據(jù)區(qū)域甚至采用只讀存儲(chǔ)器(ROM)芯片構(gòu)成
;主存的這些部分就
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