單晶硅、多晶硅,硅材料用超純水設(shè)備
硅是地球上儲(chǔ)藏zui豐富的材料之一,從19世紀(jì)科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導(dǎo)體特性后,它幾乎改變了一切,甚至人類的思維。直到上世紀(jì)60年代開始,硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好,特別適宜制作大功率器件的特性而成為應(yīng)用zui多的一種半導(dǎo)體材料,目前的集成電路半導(dǎo)體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。
現(xiàn)在,我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用,晶體硅太陽能電池是近15年來形成產(chǎn)業(yè)化zui快的。
熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。
單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅,然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料,隨著國內(nèi)和市場對(duì)單晶硅片需求量的快速增加,單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢(shì)。
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直徑越大的圓片,所能刻制的集成電路越多,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對(duì)材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同,分為直拉法(CZ)、區(qū)熔法(FZ)和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材,外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域,廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。
由于成本和性能的原因,直拉法(CZ)單晶硅材料應(yīng)用zui廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲(chǔ)器電路通常使用CZ拋光片,因成本較低。邏輯電路一般使用價(jià)格較高的外延片,因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch-up的能力。
單晶硅也稱硅單晶,是電子信息材料中zui基礎(chǔ)性材料,屬半導(dǎo)體材料類。單晶硅已滲透到國民經(jīng)濟(jì)和國防科技中各個(gè)領(lǐng)域,當(dāng)今超過2000億美元的電子通信半導(dǎo)體市場中95%以上的半導(dǎo)體器件及99%以上的集成電路用硅。
多晶硅是由許多硅原子及許多小的晶粒組合而成的硅晶體。由于各個(gè)晶粒的排列方向彼此不同,其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深銀灰色,不透明,具有金屬光澤,性脆,常溫下不活潑。
多晶硅是用金屬硅(工業(yè)硅)經(jīng)化學(xué)反應(yīng)、提純,再還原得到的高純度材料(也叫還原硅)。目前世界上多晶硅生產(chǎn)的方法主要有改良西門子法(SiHCl3)、新硅烷法(SiH4)、SiH2Cl2熱分解法、SiCl4法等多晶硅生產(chǎn)工藝。
當(dāng)前多晶硅的市場狀況是:從上來看,早幾年多晶硅還處于供過于求的局面,2004年開始,由于太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,太陽能用多晶硅供不應(yīng)求,導(dǎo)致多晶硅供應(yīng)緊張。在國內(nèi),我國多晶硅生產(chǎn)*不能滿足國內(nèi)市場需要,嚴(yán)重依賴于進(jìn)口。
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品牌 科爾頓 型號(hào) GZY-D 設(shè)備名稱 反滲透,超純水系統(tǒng) 額定頻率 50(Hz) 額定功率 800(w) 進(jìn)水壓力 0.3(Mpa) 供水量 5000(L/h) 凈重 400(kg) 外形尺寸 800*800*2800(cm) 水質(zhì) 18.2(MΩ-CM) 電壓 380(V)